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GB/T 24581-2022 硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测定低温 傅立叶变换红外光谱法

时间:2022-04-29    来源:    作者:仪多多     

点击附件免费下载PDF完整版标准文件:GB/T 24581-2022硅单晶中ⅢⅤ族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法.pdf


本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件代替GB/T24581-2009《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测试方法》,与GB/T24581-2009相比,除结构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下:

a)删除了“目的”(见2009年版的第1章);

b)更改了硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(A1)、锑(Sb)、镓(Ga)的测定范围,并增加了铟(In)含量的测定(见第1章,2009年版的第2章);

c)更改了术语和定义(见第3章,2009年版的第5章);

d)增加了杂质含量小于5.0×25275px-·的样品的测量条件(见5.6);

e)增加了用次强吸收谱带P(6875px-1)来计算磷(P)元素的含量(见5.8);

f)增加了掺杂硅单晶对测量的影响(见5.9);

g)更改了多晶转变为单晶的方法(见5.12,2009年版的8.1);

h)更改了傅立叶变换红外光谱仪的要求(见7.4,2009年版的7.4);

i)增加了千分尺及其精度要求(见7.5);

j)更改了非零响应值谱线范围(见9.2,2009年版的10.2);

k)更改了背景光谱的扫描次数(见9.7,2009年版的11.5);

1)更改了样品的扫描次数(见9.10,2009年版的11.8);

m)表1中增加了P(6875px-1)对应的峰位置、基线和积分范围及校准因子(见10.1);

n)更改了杂质含量的单位,并对计算公式进行了相应的修约(见10.4,2009年版的13.1、13.2);

0)更改了测量结果的精密度(见第11章,2009年版的第15章);

p)更改了试验报告的内容(见第12章,2009年版的第14章);

q)删除了偏差、关键词(见2009年版的第16章、17章)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。

本文件起草单位:乐山市产品质量监督检验所、青海芯测科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、新特能源股份有限公司、有研半导体硅材料股份公司、四川永祥股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、江苏鑫华半导体材料科技有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、新疆协鑫新能源材料科技有限公司、国标(北京)检验认证有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、宜昌南玻硅材料有限公司、江苏秦烯新材料有限公司、义乌力迈新材料有限公司。

本文件主要起草人:梁洪、赵晓斌、万涛、薛心禄、魏东亮、王彬、邱艳梅、杨素心、李素青、李朋飞、赵培芝、王永涛、魏强、楚东旭、周延江、刘文明、刘红、何建军、皮坤林。

本文件于2009年首次发布,本次为第一次修订。

 




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